功率MOS和双极功率晶体管的比较

功率MOS和双极功率晶体管的比较

Mos.	双极
多数载波设备	少数载波设备
没有充电储存效果	存储在基座和收集器中的充电
高开关速度，比双极设备较少敏感	低开关速度，温度敏感
漂移电流（快速处理）	扩散电流（慢过程）
电压驱动	目前驱动
纯电容输入阻抗;无需直流电流	低输入阻抗;DC电流所必需
简单的驱动电路	复杂的驱动电路（由高基流电流要求产生）
主要是负温度的抗性系数	集电器电流的正温度系数
没有热失控	热失控
设备可以与一些预防措施并行	由于v，设备不能简单地并行是匹配问题和局部电流集中
不太容易受到第二个细分的影响	易于第二个细分
低电流的方法I-V特性;高电流的线性I-V功能	指数I-V特性
更大的线性操作和更少的谐波	更多互调和交叉调制产品
由于高电阻率漂移区的电导率调制，低电阻（低饱和电压）	高耐电阻，因此导通损耗
排水电流与通道宽度成比例	收集器电流近似与发射极条纹长度和区域成比例
低跨导	高跨导
由于通道 - 排水堵塞结的轻微掺杂区域的高击穿电压	由于基本收集器阻塞结的轻微掺杂区域的结果高击穿电压