反向偏置封装进展（SE、SG、SH和SJ与SA和SB）

反向偏置封装进展（SE、SG、SH和SJ与SA和SB）

作者：Daniel Dwyer，A雷竞技竞猜下载llegro MicroSystems，LLC

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摘要

除了过去十年霍尔传感器IC技术的进步，Allegro™ 微系统在背偏器件的封装方面也取得了重大进展。磁路元件和高温材料的使用降低了制造商在最终传感器模块产品中使用它们的总系统成本。创新的封装设计和组装技术已经生产出更小、更强大的设备。

SA和SB包装

Allegro的SA和SB代表了第一代后偏软件包。SA和SB由机械组装部件组成，这些部件通过超声波焊接成成品包装。模压霍尔效应集成电路提供系统的大脑，极片和稀土颗粒增强磁路，外壳和端盖提供封装外壳。

SA和SB只有尺寸不同；SB长7 mm，而SA长9 mm。较大尺寸的SA主要用于需要比差动装置更大、更复杂的磁体系统的单元件霍尔效应装置。

SE、SG、SH和SJ包

与SA和SB一样，较新的SE、SG、SH和SJ封装具有齿轮齿感测IC所需的所有元件。与SA和SB不同的是，新包装的功能部件是在一个步骤中组装和成型的。参考图2查看SB包的横截面，参考图3查看SG包的横截面。SG组件横截面也代表SE、SH和SJ。SE可容纳较大的、专门设计的用于TPO（真正通电）和接近感测的稀土芯块，而较小的SG、SH和SJ封装可容纳用于速度和方向感测的差分芯块。

SE、SG、SH和SJ引线框架

这四个封装具有相同的制造工艺和封装尺寸，它们具有明显不同的引线框架。SE、SG和SJ有四根引线，用于集电极开路的3线设备，而SH有两根宽引线，用于2线设备。SH的两根引线比SG的两根引线宽，以便于焊接或焊接。SE和SJ的引线比SH窄，但它们的分布便于焊接和焊接。

在所有四个封装中，引线的尺寸和间距应确保在封装上形成引线不会增加封装外壳的外径。

在运输和后续加工过程中，模制在导线端部的热塑性铅棒控制导线的共面性和平直度。

包装背面的模压特征有助于在随后的装配步骤中确定方向和位置。参见图5。

SE、SG、SH和SJ封装优势

专利的Allegro SE、SG、SH和SJ封装允许稀土颗粒比第一代封装更靠近IC（参见图2和图3）。这种几何上的优势使得该装置能够以比标准包装更小的颗粒满足大气隙性能。由此产生的小包装适合在今天的齿轮轮齿传感应用所要求的紧密间距。雷竞技最新网址

SA和SB中装配所需的间隙会导致整个包装内部出现空隙（见图1）。由于SE、SG、SH和SJ没有此类空隙，因此散热得到改善，并且消除了后续灌封操作期间可能出现的空气滞留。

通过减少SE、SG、SH和SJ封装中的热传导路径，可以进一步改善散热。由于采用单步成型工艺，消除了IC引线框架和芯块之间常见的塑料层。导热系数的增加意味着球团具有更大的散热能力，允许在更高的环境温度下运行。参见图3。

SE、SG、SH和SJ解决方案优势

• 小包装尺寸
  单步热固性模塑允许接近颗粒/IC，以提高磁性效率并减小颗粒尺寸。单步热固性成型步骤也允许更薄的墙壁，并在较小的封装尺寸的结果。
• 简单的系统实现
  在一个小的，坚固的封装中带有优化颗粒的背偏压封装需要最少的磁路设计专业知识。
• 高温操作
  单步热固性模塑改善散热提供高温操作。
• 健壮的后处理
  单步成型消除了空隙，并防止在灌封或二次成型过程中产生气泡。
• 易铅焊接
  SE、SH和SJ封装的优化引线配置提供了简单的焊接和焊接。