Power-Thru技术

快板了解高压门驱动的挑战

驱动场效应晶体管有几个关键的挑战。无论如何，这都是正确的氮化镓、金属氧化物半导体或原文如此。

复杂性简单的解决方案往往是最好的解决方案。保持门驱动的简单性是一个关键的激励因素，也是我们最大的挑战。当设计门驱动电路时，繁琐的附加组件，隔离的电源和管理所有这些都是困难的。减少组件数量将降低复杂性。
CMTI：值得注意的是，近年来所有开关类型(GaN、MOS或SiC)都在提高它们的开关转换速度。因此门驱动的共模瞬态免疫能力需要满足这一要求。未能满足这一要求将意味着场效应管门上的意外转变和系统中潜在的破坏性事件。
传播时间:向任何设备的门传送可靠的门驱动信号和能量是任何门驱动的首要工作。以较低的传播时间从系统控制器传输到FET门甚至更好。低传播时间使得功率场效应管的开和关周期之间的“死时间”管理更加紧密和容易。这将直接导致系统效率的提高。这将使系统设计师快乐!
EMI：电磁干扰因素通常是系统设计中最后要考虑的事情。这可能会使完成设计变得困难和耗时。门驱动设计内部和周围的元件和电路的减少有助于极大地减少系统设计中的电磁干扰挑战。原因是共模电容较低(Ccm)．减少Ccm减少循环电流，减少系统中的电磁干扰困难。

Allegro已经解决了所有这些挑战．基于我们2022年Heyday收购的技术。经验丰富的工程师团队已经将这项技术变成了现实，产生了适合最具挑战性的设计和应用的隔离门驱动器的产品线。雷竞技最新网址

Allegro利用多年的经验开发了一种独特的技术，实现高性能门驱动器。在单个封装中并跨越单个内部隔离边界传输门驱动信号和驱动功率。

我们称之为电力直通。

隔离边界的简单性使其在设计上高效。高效的电力和物理。

一个微小的磁隔离结构使得从低压信号到高压系统的高效的电力传输跨越边界。这个边界不仅携带门驱动信号信息，还携带驱动外部FET开关所需的所有驱动功率。系统设计者现在可以将隔离驱动器提供给高侧场效应管和低侧场效应管一样容易。

我们的专有技术、关键知识产权和专利组合使硅智能提供了制造这种隔离技术的能力。

Allegro利用多年的经验开发了一种独特的技术，实现高性能门驱动器。在单个封装中并跨越单个内部隔离边界传输门驱动信号和驱动功率。

我们称之为电力直通。

隔离边界的简单性使其在设计上高效。高效的电力和物理。

我们的专有技术、关键知识产权和专利组合使硅智能提供了制造这种隔离技术的能力。

多年来，磁隔离一直被认为是一种有效的能量传输方式。但是，通过一个小到可以装进半导体大小的包装中的磁性元件，有效地获得所需的驱动能量和信息，这是一个新的故事。

使用单一隔离边界将驱动信息和驱动能量从低压控制电路转移到高压系统开关电路。这种单一路径的方法使产品包更简单、更小。

使用单一隔离边界将驱动信息和驱动能量从低压控制电路转移到高压系统开关电路。这种单一路径的方法使产品包更简单、更小。

Allegro硅是使能器，它以惊人的效率和速度引导能量和信息跨越微小的磁边界，使杰出的门驱动产品。通过新的硅技术，例如:

Allegro已经交付了新的隔离门驱动器，这是电力系统设计师长期寻求的。我们丰富的知识产权专利组合在隔离门驱动器这个令人兴奋的快速增长的市场空间中快速增长。

Allegro硅是使能器，它以惊人的效率和速度引导能量和信息跨越微小的磁边界，使杰出的门驱动产品。通过新的硅技术，例如:

在包装设计方面，Allegro一直信奉简约。把复杂性留给硅吧!

我们的产品利用著名的着陆电网阵列技术，实现业界领先的电力传输。我们的小型设备的特点，性能和功能，将使最佳和最有效的电源模块设计。

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