功率MOS与双极功率晶体管的比较

功率MOS与双极功率晶体管的比较

金属氧化物半导体	双相
多数载流子器件	少数载流子的设备
没有电荷存储效果	电荷储存在基底和收集器中
高开关速度，温度敏感性低于双极器件	开关速度慢，对温度敏感
漂移电流(快速过程)	扩散电流(慢过程)
电压驱动的	电流驱动的
纯电容输入阻抗;无需直流电流	低输入阻抗;直流电流要求
简单的驱动电路	复杂的驱动电路(由于高基极电流要求)
电阻的温度系数主要为负	集电极电流的正温度系数
没有热失控	热失控
设备可以通过一些注意事项进行并联	由于V，设备不能简单地并行是匹配问题和局部电流集中
不太容易出现第二次故障	易二次击穿
小电流下的平方律I-V特性;线性I-V特性在大电流	指数电流-电压特性
更大的线性操作和更少的谐波	更多的互调和交叉调制产品
高电阻漂移区电导率调制导致导通电阻低(饱和电压低)	导通电阻高，导通损耗大
漏极电流与通道宽度成正比	集电极电流与发射极条纹长度和面积近似成正比
低跨导	高跨导
高击穿电压是由于沟道漏极阻塞结的一个轻微掺杂区域造成的	由于基极集电极阻塞结的轻微掺杂区域造成的高击穿电压