A1225, A1227和A1229:适合高温工作的霍尔效应锁存器

这些霍尔效应锁存器是极端温度稳定和耐应力传感器IC,特别适合扩展温度范围(最高150°C)的工作条件。通过创新施密特触发器电路可以实现卓越的温度性能，该触发器电路通过补偿霍尔元件的温度变化来保持工作和释放点对称。此外，内部补偿可以提供对温度更敏感的磁性开关点，因此，抵消了温度导致的磁场性能降低。对称功能使这些器件成为占空比是重要参数的脉冲计数应用的理想选择。除磁性开关以外,三个基本器件(A1225, A1227和A1229)完全相同。

每个器件在单硅片上装有以下元件:稳压器,霍尔电压发生器,温度补偿电路,单放大器,施密特触发器,以及带短路保护的开漏极输出(最大灌电流25马)。板载稳压器允许使用3.8到24 v的电源电压进行操作。

器件编号后缀的第一个字符决定器件工作温度范围。后缀L表示-40°C至150°C。两种封装类型都能为大多数应用提供磁性优化的封装。后缀LT表示微型SOT89 / - 243 aa晶体管封装,适合表面安装应用,后缀UA表示三管脚超小型SIP。两种封装均为无铅封装，采用 100% 雾锡电镀引脚框。

A1225, A1227和A1229 LT封装变体正在生产中,但已确定不是新设计。该分类表示此器件的销售目前仅限于现有客户应用。这些器件不应该用于新设计应用，因为在不久的将来，它很可能过时。不再提供样品。推荐的代替产品:A1225 A1227或A1229韩封衍生产品。

• 对称的开关点
• 非凡的温度稳定性
• 能以未稳压电源运行
• 开漏极25马输出
• 电池反接保护
• 利用市场有售的小磁铁激活
• 固态可靠性
• 小尺寸
• 对物理应力不敏感
• 增强ESD结构实现8千伏HBM ESD性能,并且不使用外部保护组件
• 内部保护电路可以实现40 V负载突降合规,并且不使用外部保护组件