A1242:双线式稳定斩波霍尔效应锁存

这些器件不再生产。该器件不得用于新设计应用。不再提供样品。状态变更日期：2011 年 10 月 31 日。

推荐的代替产品：对于现有的客户转换，以及新客户或新应用，请参考以下部件：

• 对于A1242ELHLT-I2-T,使用A1244LLHLX-I2-T
• 对于A1242ELHLT-I1-T,使用A1244LLHLX-I1-T
• 对于A1242LLHLT-I2-T,使用A1244LLHLX-I2-T
• 对于A1242LLHLT-I1-T,使用A1244LLHLX-I1-T
• 对于A1242EUA-I1-T和A1242LUA-I1-T,使用A1244LUA-I1-T
• 对于A1242LUA-I2-T,使用A1244LUA-I2-T

A1242霍尔效应锁存器是双线锁存器,特别适合在较大的温度范围内进行工作(-40至+ 150°C)。快板专利的动态偏移消除技术可降低通常由器件超模压、温度依存性及热应力引起的剩余偏移电压,保护了器件在超高温状态下的良好性能。

由于只需使用两个传感器OC连接,因此借助电流开关输出技术可以降低配线线束成本。电流开关输出结构本身还提供针对EMC / ESD瞬变的更多耐受性。这些传感器集成电路的磁性阈值较低,因此在电磁回路设计中更具灵活性。

霍尔效应锁存器在出现南极强磁场时将处于高输出电流状态，并一直保持这一状态，直到出现北极强磁场。

A1242在单硅片上包含以下组件:稳压器,霍尔电压发生器,小型信号放大器,斩波稳定装置,施密特触发器以及电流源输出。先进的BiCMOS晶片加工工艺利用了低电压要求,元件匹配,极低的输入偏移错误和小型元件几何尺寸的优势。

后缀的L -的器件表示额定工作温度范围是-40°C至+ 150°C;后缀“E -”的器件表示额定工作温度范围是-40°C至+ 85°C。两种A1242封装类型可为大多数应用提供磁性最优化的解决方案。封装LH 是 SOT23W 微型扁平表面安装型封装，而封装 UA 是供通孔安装使用的三引脚超小型 SIP。所有封装均不含铅，引脚框采用 100% 雾锡电镀。

• 稳定斩波
• 非凡的温度稳定性
• 极低的开关点漂移
• 对物理应力不敏感
• 电池反接保护
• 固态可靠性
• 小尺寸
• 可靠的EMC能力
• 高防静电保护额定值(HBM)